上?？萍即髮W(xué)公共超凈平臺(tái)是上?？萍即髮W(xué)第一個(gè)五年計(jì)劃重點(diǎn)建設(shè)工程之一，是學(xué)校開展半導(dǎo)體器件工藝及其交叉學(xué)科研究的重要?jiǎng)?chuàng)新平臺(tái)。本超凈室主要為III-V族， III-Nitride, Si， Ge等無機(jī)半導(dǎo)體材料和相關(guān)新型器件提供研究和制造平臺(tái)。
公共超凈平臺(tái)的建設(shè)目的是為了促進(jìn)納米科學(xué)技術(shù)、半導(dǎo)體技術(shù)、光電子技術(shù)的基礎(chǔ)研究和發(fā)展，以及能源、信息、材料、醫(yī)療、環(huán)境等領(lǐng)域多學(xué)科交叉研究。通過3-5年持續(xù)的發(fā)展和建設(shè)，將逐步建立起條件優(yōu)良，功能齊全，管理規(guī)范，先進(jìn)高效的優(yōu)質(zhì)資源公用系統(tǒng)和共享機(jī)制，建設(shè)成適應(yīng)于當(dāng)前以及未來器件工藝研發(fā)所需要的基礎(chǔ)支撐體系。
公共超凈平臺(tái)屬于上科大公共科研平臺(tái)，委托信息學(xué)院籌建并先期管理。根據(jù)科研工作需要，現(xiàn)誠聘光刻工藝工程師1名。該職位目前向公共超凈平臺(tái)負(fù)責(zé)人匯報(bào)工作。
一、 崗位職責(zé)
1. 負(fù)責(zé)嫻熟操作與使用超凈室中包含但不限于電子束曝光機(jī)、掃描步進(jìn)曝光機(jī)、電子顯微鏡、勻膠機(jī)、化學(xué)通風(fēng)柜等實(shí)驗(yàn)設(shè)備、儀器及裝置;
2. 負(fù)責(zé)完善與曝光工藝流程(曝光、勻膠、顯影、堅(jiān)膜等)相關(guān)的工藝規(guī)范，研究工藝參數(shù)與條件對實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響趨勢或規(guī)律;
3. 負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)制定曝光工藝優(yōu)化方案、擴(kuò)大工藝窗口、改善工藝能力;對新進(jìn)工藝工程師或工藝技術(shù)員責(zé)任機(jī)臺(tái)培訓(xùn)方案執(zhí)行。
4. 負(fù)責(zé)實(shí)現(xiàn)并完成學(xué)校科研項(xiàng)目、外協(xié)項(xiàng)目與曝光工藝相關(guān)的工藝流程;
5. 負(fù)責(zé)日常曝光工藝問題處理，完成分析報(bào)告并及時(shí)完成相關(guān)文件;
6. 負(fù)責(zé)采購、保管和管理曝光工藝相關(guān)的必備耗材與工具;
7. 幫助和培訓(xùn)學(xué)生以及其他科研工作人員使用曝光工藝相關(guān)的設(shè)備與儀器;
8. 輔助半導(dǎo)體器件制造實(shí)驗(yàn)課程的制定和開設(shè);
9. 其它負(fù)責(zé)人交待的相關(guān)工作。
二、招聘條件
1. 具有微電子，光電子，材料或者物理等領(lǐng)域的本科，碩士或博士學(xué)歷;在該項(xiàng)工藝領(lǐng)域具備優(yōu)秀研發(fā)能力以及豐富良率提升經(jīng)歷者可放寬學(xué)歷條件;
2. 具有豐富的器件工藝的經(jīng)歷(研究生的在?？蒲薪?jīng)歷也適用)，具備計(jì)算機(jī)輔助制圖以及制作光刻版圖形的能力;
3. 對半導(dǎo)體器件，光電子器件的工作原理和測試有基本的了解;
4. 具有良好的團(tuán)隊(duì)合作精神，善于溝通;
5. 能夠閱讀相關(guān)專業(yè)的英語文獻(xiàn)及具備英文寫作能力;
6. 具有良好的協(xié)調(diào)溝通能力、管理能力和學(xué)習(xí)能力、以及團(tuán)隊(duì)合作精神。
三、應(yīng)聘要求及程序
1.請應(yīng)聘者通過人才招聘系統(tǒng)(http://jobs.shanghaitech.edu.cn/)提交應(yīng)聘申請，請?zhí)顚懲暾麘?yīng)聘材料。不接受現(xiàn)場和郵件應(yīng)聘。應(yīng)聘流程為：注冊、填寫并提交個(gè)人基本信息、應(yīng)聘選擇崗位。
2.對應(yīng)聘者進(jìn)行資格審查，對初審?fù)ㄟ^者，將另行通知面試時(shí)間。
3.招滿即止。
4.如有疑問，請發(fā)郵件至sist@shanghaitech.edu.cn。