指定參考書：《半導體物理》上冊，葉良修，高等教育出版社，1984年，2008年再版。
考試內(nèi)容
一、晶格結構和結合性質(zhì)
§1.1 晶體的結構：
晶格的周期性、金剛石結構、閃鋅礦結構和釬鋅礦結構
§1.2 半導體的結合性質(zhì)：
共價結合和離子結合、共價四面體結構、混合鍵
二、半導體中的電子狀態(tài)
§2.1 晶體中的能帶：
原子能級和固體能帶、晶體中的電子狀態(tài)
§2.2 晶體中電子的運動
§2.3 導電電子和空穴
§2.4 常見半導體的能帶結構
§2.5 雜質(zhì)和缺陷能級：
施主能級和受主能級、n型半導體和p型半導體、類氫模型、深能級雜質(zhì)、等電子雜質(zhì)
三、電子和空穴的平衡統(tǒng)計分布
§3.1 費米分布函數(shù)
§3.2 載流子濃度對費米能級的依賴關系：
態(tài)密度、載流子濃度
§3.3 本征載流子濃度
§3.4 非本征載流子濃度：
雜質(zhì)能級的占用幾率、單一雜質(zhì)能級情形、補償情形
四、輸運現(xiàn)象
§4.1 電導和霍爾效應的分析
§4.2 載流子的散射
§4.3 電導的統(tǒng)計理論
五、過剩載流子
§5.1 過剩載流子及其產(chǎn)生和復合
§5.2 過剩載流子的擴散：
一維穩(wěn)定擴散、愛因斯坦關系
§5.3 過剩載流子的漂移和擴散
§5.7 直接復合
§5.8 間接復合
§5.9 陷阱效應
六、pn結
§6.1 pn結及其伏安特性
§6.3 pn結的光生伏特效應
§6.4 pn結中的隧道效應
七、半導體表面層和MIS結構
§7.1 表面感生電荷層
§7.2 MIS電容：
理想MIS結構的C-V特性、實際MIS結構的C-V特性、Si-SiO2系統(tǒng)中電荷的實驗研究
八、金屬半導體接觸和異質(zhì)結
§8.1 金屬－半導體接觸
§8.2 肖特基二極管的電流：
越過勢壘的電流、兩極管理論、擴散理論、隧穿電流和歐姆接觸
§8.4 異質(zhì)結
§8.6 半導體超晶格
注：以上的考試大綱內(nèi)容大約是參考書內(nèi)容的一半，這是必須掌握的，也是考試范圍。其余部分可作進一步學習的參考，但不在考試范圍。
考試內(nèi)容
一、晶格結構和結合性質(zhì)
§1.1 晶體的結構：
晶格的周期性、金剛石結構、閃鋅礦結構和釬鋅礦結構
§1.2 半導體的結合性質(zhì)：
共價結合和離子結合、共價四面體結構、混合鍵
二、半導體中的電子狀態(tài)
§2.1 晶體中的能帶：
原子能級和固體能帶、晶體中的電子狀態(tài)
§2.2 晶體中電子的運動
§2.3 導電電子和空穴
§2.4 常見半導體的能帶結構
§2.5 雜質(zhì)和缺陷能級：
施主能級和受主能級、n型半導體和p型半導體、類氫模型、深能級雜質(zhì)、等電子雜質(zhì)
三、電子和空穴的平衡統(tǒng)計分布
§3.1 費米分布函數(shù)
§3.2 載流子濃度對費米能級的依賴關系：
態(tài)密度、載流子濃度
§3.3 本征載流子濃度
§3.4 非本征載流子濃度：
雜質(zhì)能級的占用幾率、單一雜質(zhì)能級情形、補償情形
四、輸運現(xiàn)象
§4.1 電導和霍爾效應的分析
§4.2 載流子的散射
§4.3 電導的統(tǒng)計理論
五、過剩載流子
§5.1 過剩載流子及其產(chǎn)生和復合
§5.2 過剩載流子的擴散：
一維穩(wěn)定擴散、愛因斯坦關系
§5.3 過剩載流子的漂移和擴散
§5.7 直接復合
§5.8 間接復合
§5.9 陷阱效應
六、pn結
§6.1 pn結及其伏安特性
§6.3 pn結的光生伏特效應
§6.4 pn結中的隧道效應
七、半導體表面層和MIS結構
§7.1 表面感生電荷層
§7.2 MIS電容：
理想MIS結構的C-V特性、實際MIS結構的C-V特性、Si-SiO2系統(tǒng)中電荷的實驗研究
八、金屬半導體接觸和異質(zhì)結
§8.1 金屬－半導體接觸
§8.2 肖特基二極管的電流：
越過勢壘的電流、兩極管理論、擴散理論、隧穿電流和歐姆接觸
§8.4 異質(zhì)結
§8.6 半導體超晶格
注：以上的考試大綱內(nèi)容大約是參考書內(nèi)容的一半，這是必須掌握的，也是考試范圍。其余部分可作進一步學習的參考，但不在考試范圍。