2.RAM的結(jié)構(gòu)、組織及其應(yīng)用
半導(dǎo)體存儲器有體積小、存取速度快、生產(chǎn)制造易于自動化等特點，其性能價格比遠遠高于磁芯存儲器，因而得到廣泛的應(yīng)用。
半導(dǎo)體存儲器的種類很多，就其制造工藝可以分成雙極型半導(dǎo)體存儲器和金屬-氧化物-半導(dǎo)體存儲器（簡稱MOS型存儲器）。MOS型存儲器按其工作狀態(tài)又可以分為靜態(tài)和動態(tài)兩種。動態(tài)存儲器必須增設(shè)恢復(fù)信息的電路，外部線路復(fù)雜。但其內(nèi)部線路簡單，集成度高，價格較靜態(tài)存儲器便宜。因此經(jīng)常用做大容量的RAM。
靜態(tài)存儲器和動態(tài)存儲器的主要差別在于:靜態(tài)存儲器存儲的信息不會自動消失，而動態(tài)存儲器存儲的信息需要在再生過程的幫助下才能保持。但無論雙極型或MOS型存儲器，其保持的信息將隨電源的撤消而消失。
（1）RAM的組織
半導(dǎo)體RAM芯片是在半導(dǎo)體技術(shù)和集成電路工藝支持下的產(chǎn)物。一般計算機中使用的RAM芯片均是有自己的存儲體陣列、譯碼電路、讀寫控制電路和I/O電路。
①RAM的并聯(lián)
為擴展存儲器的字長，可以采用并聯(lián)存儲器芯片的方式實現(xiàn)。
②RAM的串聯(lián)
為擴展存儲器的存儲單元數(shù)量，可以采用多個芯片地址串聯(lián)的方式解決。
③地址復(fù)用的RAM組織
隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展，使得一塊存儲器芯片能夠容納更多的內(nèi)容。其所需地址線隨之增加，為了保持芯片的外部封裝不變，一般采用地址復(fù)用的技術(shù)，采用地址分批送入的結(jié)構(gòu)**不增加芯片的地址引腳。
（2）RAM的實際應(yīng)用
由于一個存儲器的芯片一般不能滿足使用的要求，所以通常將若干個存儲器芯片按串聯(lián)和并聯(lián)的兩種方式相結(jié)合連接，組成一定容量和位數(shù)的存儲器。
如果設(shè)計的存儲器容量有x字，字長為y，而采用的芯片為N×M位。要組成滿足字長要求的存儲器所需芯片數(shù)為:y/M。根據(jù)容量要求，組成要求容量的RAM所需芯片數(shù)為:（x/N）×（y/M）。